为5G和AI而来，Soitec宣布中国发展新战略

作者:单祥茹  来源:中国电子商情

发布时间:2019-03-26

Soitec半导体公司的优化衬底在4G通信部署中发挥着至关重要的作用。射频绝缘体上硅（RF-SOI）材料目前100%应用在所有智能手机中，并且容量随着新产品的迭代更新而不断增长。此外，全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）所带来的独特射频性能，使其成为许多应用的理想解决方案，比如5G毫米波收发器、为物联网（IOT）实现全射频和超低功耗计算等。

“Soitec公司提供的优化衬底产品，在半导体行业中所产生的价值以及起到的作用越来越大。我们认为AI和5G是未来人类下一个发展的核心技术，中国在5G方面处于相对领先的位置，而且现在有很多AI和5G方面的工作在中国逐渐展开。因此，对Soitec公司而言，中国是一个非常重要并且潜力巨大的市场。”Soitec全球战略执行副总裁Thomas Piliszczuk博士近日在中国市场战略调整计划新闻发布会上表示。

图1  Soitec全球战略执行副总裁Thomas Piliszczuk博士在新闻发布会上发言

Thomas Piliszczuk博士的这一表述是基于以下一系列市场数据。据Deloitte去年8月发布的研究报告，自2015年以来，中国在5G基础设施方面的投资超过美国240亿美元，而在人工智能领域的投资占到全球总额的近60%（2013—Q1 2018）。最近几年，中国政府更是逐渐加大对半导体领域的投资，预计2020年国内集成电路市场的自给率要达到40％，到了2030年则提高到75％。

“中国在半导体行业的发展处在非常令人兴奋和激动的时代。在5G和AI两个关键技术方面投入巨大，而且这两个关键技术也是下一步的发展方向。”Thomas Piliszczuk博表示。

助力5G商用进程，加盟中国移动5G联合创新中心
中国移动在5G方面的投资力度很大，并且已经开始大规模商用前的测试。预计到2020年，5G的站点将达到1万个。Soitec全球业务部执行副总裁Bernard Aspar先生表示，当5G低于Sub-6 GHz，也就是在500M赫兹会有最大规模的频谱分配。如果使用5G Sub-6 GHz频谱，需要额外的投资量非常少，5G就能够快速普及。因此，基于Smart-Cut技术的绝缘硅（SOI）无疑是最适合这一应用的衬底。

图2  5G互联世界的优化衬底

Bernard Aspar先生还以红酒为例进一步阐述SoI衬底在5G部署中的优势。他认为，要出产好酒，最根本的就是种植葡萄的土壤要非常好。以此类比，如果我们想生产性能非常高的5G终端产品，离不开优化衬底的帮助。Soitec的Smart Cut技术就好像是一个纳米刀，可生产非常高质量的SOI优化衬底。

早在4G通信部署中，Soitec的优化衬底就发挥了至关重要的作用。射频绝缘体上硅（RF-SOI）材料目前100%应用在所有智能手机中，并且容量随着新产品的迭代更新而不断增长。此外，全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）所带来的独特射频性能，使其成为许多应用的理想解决方案例。

由中国移动创建的5G联合创新中心是国际化联盟，致力于为中国9.25亿移动用户开发5G通信解决方案。该中心旨在通过创建跨行业生态系统、建立开放实验室来创建新产品和应用，以及培育新的业务和市场机会来加速5G通信的发展。该中心建立后，Soitec立即成为首家加入5G联合创新中心的材料供应商。Bernard Aspar先生表示，Soitec这样做的目的就是要助力5G商用化进程。

 持续发力中国市场，Soitec推出全新战略
Soitec在中国已经有超过十年的历史。2007年，Soitec开始与中国的大学和研究机构建立合作关系。2014年5月，Soitec与新傲科技签署合作协议和技术转让协议。自此，新傲科技应用Soitec的Smart Cut专利技术生产高质量的RF-SOI和Power-SOI产品，并达到世界级水准。今年2月份，双方宣布将加强合作关系，进一步扩大新傲科技位于上海制造工厂的200mm 绝缘硅（SOI）晶圆年产量，从年产18万片增加至36万片，以更好地服务全球市场对RF-SOI和Power-SOI产品的增长性需求。根据分工，新傲科技负责SOI晶圆制造，Soitec管理全球产品销售。“接下来我们会寻找更多的客户，把更多的产品移到上海工厂来生产。”Soitec全球销售主管Calvin Chen先生表示。

中国在5G和AI上表现出的巨大潜力，是Soitec进行中国市场战略调整的重要原因。根据Calvin Chen的介绍，Soitec在中国推出的全新战略主要体现在三个方面，一是加入中国移动5G联合创新中心。二是扩大RF-SOI和Power-SOI产品在中国的产能。三是建立直属的中国销售团队。

截至目前，Soitec的全球产能主要分布在法国、新加坡和中国。8寸晶圆的产能，上海新傲增加到36万片以后，再加上法国工厂的90万片，总产能接近130万片/年。12寸晶圆的产能，主要由法国工厂和新加坡工厂完成，总产能可以达到200万片/年。

在此之前，Soitec主要通过国际团队来支持中国市场，主要依靠代理商与合作伙伴建立联系。接下来一个直属的中国销售团队马上在中国成立，无论是售前和售后、商业或者是技术支持，都将由新团队予以支持。它将进一步加强Soitec公司和中国市场的联系，与中国5G生态系统的合作将更加紧密。

 SOI应用模式不断创新，下一步重点在人工智能+物联网（AI+IoT）
相比三年前，Soitec全系列优化衬底的应用模式得到有效扩充，现在已经覆盖6大应用领域，包括射频前端模块、功率、处理器与集成芯片的连接、绝缘梯上的电压、光学以及成像器。“我认为FD-SOI在计算量相对要求比较低的边缘计算这一应用领域将会成为一个新标准，未来会是一个主力产品。”Soitec全球业务部执行副总裁Bernard Aspar先生表示。

在边缘计算中，对于低频应用，即那些不需要高速和高性能表现的设备，可以通过FD-SOI获取高效应用。高频应用往往需要更高的计算性能，FD-SOI也可以满足需求，主要是通过应用FD-SOI的基底偏压技术，控制设备在性能、速度和功耗上的表现。现在，用于机器学习和人工智能边缘计算的恩智浦的i.MX RT600交叉处理器就是基于全耗尽FD-SOI。LATTICE则有基于FD-SOI的下一代持续在线的低功耗机器学习FPGA产品。

目前，FD-SOI正在许多高速增长的应用中设立新标准，包括物联网中的超低功耗设备、汽车系统如ADAS和信息娱乐系统的视觉处理器、从5G智能手机到可穿戴电子产品的移动连接设备。

图3  Soitec全系列优化衬底涵盖多个领域和应用模式

    FD-SOI生态链不断扩大，IP设计不再是痛点
随着SOI应用模式的不断扩大，生态链的建设日渐完善。在工艺制程上，Global Foundries已经推出22纳米FD-SOI，预计很快就会向市场推出12纳米FD-SOI这一个工艺节点。三星目前已推出28纳米和18纳米FD-SOI两个工艺节点。瑞萨公司推出了65纳米SOI。

当然，Soitec全球战略执行副总裁Thomas Piliszczuk博士也承认，虽然在过去的几年已经有了很大的进步，但在FD-SOI的IP设计上确实还存在着痛点。不过也可以看到，Global Foundries、三星等公司在FD-SOI平台上已经拥有非常多的IP的产品。Synopsys、ARM等IP服务商也开始支持FD-SOI。中国的芯原（VeriSilicon）也非常支持FD-SOI的设计。Thomas Piliszczuk博士还透露了另一个信息，去年Soitec收购了一家主要提供基底偏压IP的企业——Dolphin Integration公司，两三周前，Dolphin Integration与Global Foundries共同发布了支持22纳米节点的可适应的基底偏压技术。现在，FD-SOI的芯片设计已经走上正轨。